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1 nm工艺实现:半导体技术突破极限
发布日期:2019-03-03 10:13    浏览次数:     作者:365bet足彩网上投注    
1 nm工艺实现:半导体技术突破极限
2017-05-0312:12:19来源:Supernet's:编辑Bolívar:Snowflake评论(0)
我猜你想看到什么。英特尔CPU
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三大半导体工厂,英特尔,台积电和三星,计划今年批量生产10纳米工艺。我们准备在明年开始7纳米工艺,520纳米工艺将于2020年左右开始。
然而,随着工艺技术的更新,半导体工艺正在接近极限,制造困难正在增加。
由于5 nm以来的工艺到目前为止尚未得出明确结论,因此需要更新晶体管的材料和工艺。
此时,美国处于最前沿,美国布鲁克海文国家实验室的研究人员宣布完成1纳米工艺制造。
按照EETimes的,这是能源部(DOE)布鲁克海文国家实验室的研究人员在美国能源部的一部分的报告,它宣布了一项新的世界纪录的创造。他们使用电子束印刷成功制造了仅1纳米的印刷设备。
在该实验室,和创造性地利用电子显微镜的研究人员,我们创建了一个敏感物质的常规电子束(EBL)比处理更小,并且所述电子设备。通过聚焦电子束大大减少了它们。
他们生产的工具可以极大地改变物质的性质,从操作到透光,以及在两种情况下的相互作用。
结果与能源,STEM(扫描电子显微镜)的功能纳米材料中心部进行用于打印程1个纳米11纳米,每毫米1个万亿功能被实现。广场。密度特征。
通过在氢氧化硅酸盐电阻器下的5nm半栅极处的STEM极化校正实现2nm的分辨率。
PD:这些技术会听到已在实验室开发并不意味着它可以非常迅速地商品化的刺激,技术。Brookhaven Labs的1 nm工艺与目前的光刻工艺完全不同,例如使用电子束代替激光光刻。使用的材料是PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯),而不是硅基半导体。和类似的,并使用硅树脂材料测试。
事实上,这不是科学家第一次实施1纳米工艺。去年,美国能源部另一个国家实验室劳伦斯伯克利国家实验室宣布了1纳米工艺。他们使用新的碳纳米管和二硫化钼。
同样,碳纳米管晶体管不同于目前的PMMA和电子束光刻以及当前的半导体工艺,因此该技术不会立即大规模生产。他们必须彻底消除现有设施。
EE半导体技术优势UU实力雄厚,中国在这一领域远远落后。国内商业公司不可能期望开发这些新技术。你有什么好的建议或意见吗?
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